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    8月21日，从江苏通用半导体有限公司传来动静，由该公司自立研发的海内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全主动剥离装备正式交付碳化硅衬底出产范畴头部企业广州南砂晶圆半导体技能有限公司，并投入出产。

图：8英寸SiC晶锭激光全主动剥离装备

该装备可实现6英寸及8英寸碳化硅晶锭的全主动分片，包罗晶锭上料、晶锭研磨、激光切割、晶片分散及晶片网络，一举弥补了海内碳化硅晶锭激光剥离装备范畴研发、制造的市场空缺，冲破了外洋的技能封锁，将极年夜地晋升我国碳化硅芯片财产的自立化、财产化程度。

该装备年可剥离碳化硅衬底20000片，实现良率95%以上，与传统的线切割工艺比拟，年夜幅降低了产物损耗，而装备售价仅仅是外洋同类产物的1/3。

最近几年来，碳化硅功率器件于年夜功率半导体市场中所占的份额不停提高，并被广泛运用在新能源汽车、都会轨道交通、风力发电、高速挪动、物联网等一系列范畴。

可是，因为质料的高硬度、高脆性的特色，于利用传统的沙浆线、金刚石线等冷切工艺切割、剥离碳化硅晶锭时，存于效率太低、损耗太高的错误谬误，致使衬底产能晋升过慢，远远不克不及满意市场的现实需求。因为产能严峻不足，碳化硅衬底的出产成本一直居高不下，于器件成本组成中，碳化硅器件中衬底要占成本的47%，远远高在硅基器件的7%。

江苏通用半导体有限公司董事长陶为银先容， 采用基在激光东西及加工技能切割、剥离碳化硅晶锭，可实现高效、切确及高质量的制造，极年夜地降低碳化硅衬底的出产成本，削减华侈及情况影响。

碳化硅器件属在宽禁带半导体，不单于平易近用范畴运用广泛，于国防范畴也遍及运用。是以对于相干技能，西方发财国度都实施出口管束。今朝，只有一家日本企业出产制造碳化硅晶锭激光剥离装备，售价高达一亿元，且对于中国实行禁售。

江苏通用半导体有限公司建立在2019年，致力在高端半导体财产设备与质料的研发及制造，在2020年推出海内首台半导体激光隐形切割机；2022年景功推出海内首台18纳米和如下SDBG激光隐切装备（针对于3D Memory)；2024年研制乐成SDTT激光隐切装备（针对于3D HBM）。

转自：新闻晨报

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